參數(shù)資料
型號： SGW02N120
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast IGBT in NPT-technology
中文描述： 在不擴散核武器條約快速IGBT技術(shù)
文件頁數(shù)： 9/11頁
文件大?。?/td> 310K
代理商： SGW02N120
SGW02N120
Power Semiconductors
9
Rev. 2 Jan. 05
dimensions
symbol
[mm]
[inch]
min
max
min
max
A
4.78
5.28
0.1882
0.2079
B
2.29
2.51
0.0902
0.0988
C
1.78
2.29
0.0701
0.0902
D
1.09
1.32
0.0429
0.0520
E
1.73
2.06
0.0681
0.0811
F
2.67
3.18
0.1051
0.1252
G
0.76 max
0.0299 max
H
20.80
21.16
0.8189
0.8331
K
15.65
16.15
0.6161
0.6358
L
5.21
5.72
0.2051
0.2252
M
19.81
20.68
0.7799
0.8142
N
3.560
4.930
0.1402
0.1941
P
3.61
0.1421
Q
6.12
6.22
0.2409
0.2449
PG-TO247-3-1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGW10N60 Fast IGBT in NPT-technology
SGB10N60A Fast IGBT in NPT-technology
SGP10N60A Fast IGBT in NPT-technology
SGW10N60A Fast IGBT in NPT-technology
SGW20N60 Fast S-IGBT in NPT-technology
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGW02N120_06 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology
SGW10N60 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW10N60A 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW10N60AFKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 600V 20A 92W TO247-3
SGW10N60RUF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*