參數(shù)資料
型號(hào)： SGU04N60
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast IGBT in NPT-technology
中文描述： 在不擴(kuò)散核武器條約快速IGBT技術(shù)
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大小： 391K
代理商： SGU04N60
SGP04N60,
SGD04N60,
SGB04N60
SGU04N60
6
Jul-02
t
,
S
0A
2A
4A
6A
8A
10A
10ns
100ns
t
r
t
d(on)
t
f
t
d(off)
t
,
S
0
50
100
150
200
10ns
100ns
t
r
t
d(on)
t
f
t
d(off)
I
C
,
COLLECTOR CURRENT
Figure 9. Typical switching times as a
function of collector current
(inductive load,
T
j
= 150
°
C,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
R
G
= 67
,
Dynamic test circuit in Figure E)
R
G
,
GATE RESISTOR
Figure 10. Typical switching times as a
function of gate resistor
(inductive load,
T
j
= 150
°
C,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
I
C
= 4A,
Dynamic test circuit in Figure E)
t
,
S
0°C
50°C
100°C
150°C
10ns
100ns
t
r
t
d(on)
t
f
t
d(off)
V
G
,
G
-
E
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
5.0V
5.5V
typ.
min.
max.
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 11. Typical switching times as a
function of junction temperature
(inductive load,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
I
C
= 4A,
R
G
= 67
,
Dynamic test circuit in Figure E)
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 12. Gate-emitter threshold voltage
as a function of junction temperature
(
I
C
= 0.2mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGB06N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGD06N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGP06N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGU06N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGB07N120 Fast IGBT in NPT-technology
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