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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SGU02N60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT) |
| 中文描述： | 6 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-251AA |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 276K |
| 代理商： | SGU02N60 |
SGP02N60, SGB02N60
SGD02N60, SGU02N60
4
Mar-00
I
C
,
C
10Hz
100Hz
1kHz
10kHz
100kHz
0A
2A
4A
6A
8A
10A
12A
14A
16A
T
C
=110°C
T
C
=80°C
I
C
,
C
1V
10V
100V
1000V
0.01A
0.1A
1A
10A
DC
1ms
200
μ
s
50
μ
s
15
μ
s
t
p
=2
μ
s
f
,
SWITCHING FREQUENCY
Figure 1. Collector current as a function of
switching frequency
(
T
j
≤
150
°
C,
D =
0.5,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
R
G
= 118
)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 2. Safe operating area
(
D =
0,
T
C
= 25
°
C,
T
j
≤
150
°
C)
P
t
,
P
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
0W
5W
10W
15W
20W
25W
30W
35W
I
C
,
C
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
0A
1A
2A
3A
4A
5A
6A
7A
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 3. Power dissipation (IGBT) as a
function of case temperature
(
T
j
≤
150
°
C)
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 4. Collector current as a function of
case temperature
(
V
GE
≤
15V,
T
j
≤
150
°
C)
I
c
I
c
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGB04N60 | Fast IGBT in NPT-technology |
| SGD04N60 | Fast IGBT in NPT-technology |
| SGP04N60 | Fast IGBT in NPT-technology |
| SGU04N60 | Fast IGBT in NPT-technology |
| SGB06N60 | Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SGU04G64B5BD2SA-DCR | 制造商:SWISSBIT 功能描述:DDR3 UDIMM 4 GB 1600/CL11 - Trays 制造商:SWISSBIT NA INC 功能描述:DDR3 4GB UDIMM |
| SGU04G72H1BD2MT-BBRT | 制造商:SWISSBIT NA INC 功能描述:DDR3 4GB UDIMM |
| SGU04G72H1BD2MT-CCRT | 制造商:SWISSBIT NA INC 功能描述:DDR3 4GB UDIMM |
| SGU04N60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology |
| SGU06N60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology |
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