參數(shù)資料
型號： SGP30N60
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast IGBT in NPT-technology
中文描述： 在不擴散核武器條約快速IGBT技術
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 425K
代理商： SGP30N60
SGP30N60,
SGB30N60
SGW30N60
5
Jul-02
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
0A
10A
20A
30A
40A
50A
60A
70A
80A
90A
15V
13V
11V
9V
7V
5V
V
GE
=20V
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
0A
10A
20A
30A
40A
50A
60A
70A
80A
90A
15V
13V
11V
9V
7V
5V
V
GE
=20V
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 5. Typical output characteristics
(
T
j
= 25
°
C)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 6. Typical output characteristics
(
T
j
= 150
°
C)
I
C
,
C
0V
2V
4V
6V
8V
10V
0A
10A
20A
30A
40A
50A
60A
70A
80A
90A
100A
-55°C
+150°C
T
j
=+25°C
V
C
,
C
-
E
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
V
GE
,
GATE
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 7. Typical transfer characteristics
(
V
CE
= 10V)
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 8. Typical collector-emitter
saturation voltage as a function of junction
temperature
(
V
GE
= 15V)
I
C
= 30A
I
C
= 60A
相關PDF資料
PDF描述
SGB30N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術中的快速 S-IGBT)
SGP30N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術中的快速 S-IGBT)
SGW30N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術中的快速 S-IGBT)
SGD-100T C to X Band, Mixer, Modulator Applications
SGD-100 GaAs Schottky Barrier Diode（C to X Band, Mixer, Modulator Applications）(應用于C到X帶寬，混頻器和調(diào)制器的砷化鎵肖特基勢壘二極管)
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參數(shù)描述
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