參數(shù)資料
型號(hào)： SGP30N60
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast IGBT in NPT-technology
中文描述： 在不擴(kuò)散核武器條約快速IGBT技術(shù)
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 425K
代理商： SGP30N60
SGP30N60,
SGB30N60
SGW30N60
3
Jul-02
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=25
°
C
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
-
-
44
34
291
58
0.64
0.65
1.29
53
40
349
70
0.77
0.85
1.62
ns
T
j
=25
°
C,
V
CC
=400V,
I
C
=30A,
V
GE
=0/15V,
R
G
=11
,
L
σ
C
σ
Energy losses include
“tail” and diode
reverse recovery.
1)
=180nH,
1)
=900pF
mJ
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=150
°
C
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
-
-
44
34
324
67
0.98
0.92
1.90
53
40
389
80
1.18
1.19
2.38
ns
T
j
=150
°
C
V
CC
=400V,
I
C
=30A,
V
GE
=0/15V,
R
G
= 11
,
L
σ
C
σ
Energy losses include
“tail” and diode
reverse recovery.
1)
=180nH,
1)
=900pF
mJ
1)
Leakage inductance
L
σ
and Stray capacity
C
σ
due to dynamic test circuit in Figure E.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGB30N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGP30N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGW30N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGD-100T C to X Band, Mixer, Modulator Applications
SGD-100 GaAs Schottky Barrier Diode（C to X Band, Mixer, Modulator Applications）(應(yīng)用于C到X帶寬，混頻器和調(diào)制器的砷化鎵肖特基勢(shì)壘二極管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGP30N60 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT TO-220
SGP30N60_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology
SGP30N60_09 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology
SGP30N60HS 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH SPEED NPT TECH 600V 30A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGP30N60HS_09 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
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