參數(shù)資料
型號(hào)： SGP07N120
廠(chǎng)商： SIEMENS AG
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術(shù)中的快速S-IGBT)
中文描述： 快速的S -不擴(kuò)散核武器條約IGBT的技術(shù)（不擴(kuò)散技術(shù)中的快速第S - IGBT的）
文件頁(yè)數(shù)： 6/11頁(yè)
文件大小： 374K
代理商： SGP07N120
Preliminary
SGP07N120
SGB07N120
Power Semiconductors
6
Mar-00
t
,
S
0A
5A
10A
15A
20A
10ns
100ns
t
r
t
d(on)
t
f
t
d(off)
t
,
S
0
20
R
G
,
GATE RESISTOR
40
60
80
100
10ns
100ns
000ns
t
r
t
d(on)
t
f
t
d(off)
I
C
,
COLLECTOR CURRENT
Figure 9. Typical switching times as a
function of collector current
(inductive load,
T
j
= 150
°
C,
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
R
G
= 47
)
Figure 10. Typical switching times as a
function of gate resistor
(inductive load,
T
j
= 150
°
C,
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
I
C
= 8A)
t
,
S
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
10ns
100ns
t
r
t
d(on)
t
f
t
d(off)
V
G
,
G
-
E
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
typ.
min.
max.
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 11. Typical switching times as a
function of junction temperature
(inductive load,
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
I
C
= 8A,
R
G
= 47
)
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 12. Gate-emitter threshold voltage
as a function of junction temperature
(
I
C
= 0.3mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGB10N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGP10N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGW10N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGB15N60HS High Speed IGBT in NPT-technology
SGB20N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
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參數(shù)描述
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SGP100 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Primary-side-control PWM Controller
SGP100SZ 功能描述:開(kāi)關(guān)變換器、穩(wěn)壓器與控制器 Primary-side-control PWM controller RoHS:否 制造商:Texas Instruments 輸出電壓:1.2 V to 10 V 輸出電流:300 mA 輸出功率: 輸入電壓:3 V to 17 V 開(kāi)關(guān)頻率:1 MHz 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:WSON-8 封裝:Reel
SGP101SZ 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
SGP10N60 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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