參數(shù)資料
型號： SGP07N120
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術(shù)中的快速S-IGBT)
中文描述： 快速的S -不擴(kuò)散核武器條約IGBT的技術(shù)（不擴(kuò)散技術(shù)中的快速第S - IGBT的）
文件頁數(shù)： 10/11頁
文件大小： 374K
代理商： SGP07N120
Preliminary
SGP07N120
SGB07N120
Power Semiconductors
10
Mar-00
Figure A. Definition of switching times
I
r r m
90%
I
r r m
10%
I
r r m
di
/dt
r r
di /dt
t
r r
I
F
i,v
t
Q
S
Q
F
t
S
t
F
V
R
Q =Q
Q
S
F
+
t =t
t
S
F
+
Figure C. Definition of diodes
switching characteristics
p(t)
1
2
n
T (t)
τ
1
r
1
τ
2
r
2
n
n
τ
r
T
C
r
r
r
Figure D. Thermal equivalent
circuit
Figure B. Definition of switching losses
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGB10N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGP10N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGW10N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGB15N60HS High Speed IGBT in NPT-technology
SGB20N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
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參數(shù)描述
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SGP100 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Primary-side-control PWM Controller
SGP100SZ 功能描述:開關(guān)變換器、穩(wěn)壓器與控制器 Primary-side-control PWM controller RoHS:否 制造商:Texas Instruments 輸出電壓:1.2 V to 10 V 輸出電流:300 mA 輸出功率: 輸入電壓:3 V to 17 V 開關(guān)頻率:1 MHz 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:WSON-8 封裝:Reel
SGP101SZ 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
SGP10N60 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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