參數(shù)資料
型號(hào)： SGP02N60
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： FAST IGBT IN NPT TECHNOLOGY
中文描述： 快速I(mǎi)GBT技術(shù)在不擴(kuò)散核武器條約
文件頁(yè)數(shù)： 11/13頁(yè)
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代理商： SGP02N60
Preliminary
SGP02N120
SGB02N120, SGD02N120
Power Semiconductors
11
Mar-00
Figure A. Definition of switching times
I
r r m
90%
I
r r m
10%
I
r r m
di
/dt
r r
di /dt
t
r r
I
F
i,v
t
Q
S
Q
F
t
S
t
F
V
R
Q =Q
Q
S
F
+
t =t
t
S
F
+
Figure C. Definition of diodes
switching characteristics
p(t)
1
2
n
T (t)
τ
1
r
1
τ
2
r
2
n
n
τ
r
T
C
r
r
r
Figure D. Thermal equivalent
circuit
Figure B. Definition of switching losses
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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