參數(shù)資料
型號： SGD02N120
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology
中文描述： 快速的S -不擴散核武器條約IGBT的技術
文件頁數(shù)： 3/13頁
文件大?。?/td> 389K
代理商： SGD02N120
Preliminary
SGP02N120
SGB02N120, SGD02N120
Power Semiconductors
3
Mar-00
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=25
°
C
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
-
-
23
16
260
61
0.16
0.06
0.22
30
21
340
80
0.21
0.08
0.29
ns
T
j
=25
°
C,
V
CC
=800V,
I
C
=2A,
V
GE
=15V/0V,
R
G
=91
,
Energy losses include
“tail” and diode
reverse recovery.
mJ
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=150
°
C
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
-
-
26
14
290
85
0.27
0.11
0.38
31
17
350
102
0.33
0.15
0.48
ns
T
j
=150
°
C
V
CC
=800V,
I
C
=2A,
V
GE
=15V/0V,
R
G
=91
Energy losses include
“tail” and diode
reverse recovery.
mJ
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PDF描述
SGD02N60 FAST IGBT IN NPT TECHNOLOGY
SGB02N120 Fast S-IGBT in NPT-technology
SGB02N60 FAST IGBT IN NPT TECHNOLOGY
SGP02N60 FAST IGBT IN NPT TECHNOLOGY
SGP20N60HS High Speed IGBT in NPT-technology
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參數(shù)描述
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