參數資料
型號: SGB15N60HS
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: High Speed IGBT in NPT-technology
中文描述: 在不擴散核武器條約高高速IGBT的技術
文件頁數: 5/11頁
文件大小: 325K
代理商: SGB15N60HS
^
SGB15N60HS
Power Semiconductors
5
Rev 2.1 Jan 05
I
C
,
C
0V
2V
4V
6V
0A
10A
20A
30A
40A
5V
7V
9V
11V
13V
15V
V
GE
=20V
I
C
,
C
0V
2V
4V
6V
0A
10A
20A
30A
40A
5V
7V
9V
11V
13V
15V
V
GE
=20V
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 5. Typical output characteristic
(
T
j
= 25°C)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 6. Typical output characteristic
(
T
j
= 150°C)
I
C
,
C
0V
2V
4V
6V
8V
0A
20A
40A
150°C
25°C
T
J
=-55°C
V
C
C
-
E
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
1,0V
1,5V
2,0V
2,5V
3,0V
3,5V
4,0V
4,5V
5,0V
5,5V
I
C
=30A
I
C
=15A
I
C
=7.5A
V
GE
,
GATE-EMITTER
VOLTAGE
Figure 7. Typical transfer characteristic
(V
CE
=10V)
T
J
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 8. Typical collector-emitter
saturation voltage as a function of
junction temperature
(
V
GE
= 15V)
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PDF描述
SGB20N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術中的快速 S-IGBT)
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參數描述
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