參數(shù)資料
型號： SGB10N60
廠商： SIEMENS A G
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
中文描述： 21 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
文件頁數(shù)： 1/12頁
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代理商： SGB10N60
SGP10N60
SGB10N60, SGW10N60
1
Mar-00
Fast S-IGBT in NPT-technology
G
C
E
75% lower
E
off
compared to previous generation combined with
low conduction losses
Short circuit withstand time – 10
μ
s
Designed for:
- Motor controls
- Inverter
NPT-Technology for 600V applications offers:
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behaviour
- parallel switching capability
Type
V
CE
I
C
V
CE(sat
)
T
j
Package
Ordering Code
SGP10N60
600V
10A
2.2V
150
°
C
TO-220AB
Q67041-A4710-A2
SGB10N60
TO-263AB
Q67041-A4710-A4
SGW10N60
TO-247AC
Q67040-S4234
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Collector-emitter voltage
DC collector current
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
Pulsed collector current,
t
p
limited by
T
jmax
Turn off safe operating area
V
CE
≤
600V,
T
j
≤
150
°
C
Gate-emitter voltage
V
CE
I
C
600
V
A
21
10.9
I
Cpuls
-
42
42
V
GE
E
AS
±
20
70
V
Avalanche energy, single pulse
I
C
= 10 A,
V
CC
= 50 V,
R
GE
= 25
,
start at
T
j
= 25
°
C
Short circuit withstand time
1)
V
GE
= 15V,
V
CC
≤
600V,
T
j
≤
150
°
C
Power dissipation
T
C
= 25
°
C
Operating junction and storage temperature
mJ
t
SC
10
μ
s
P
tot
104
W
T
j
,
T
stg
-55...+150
°
C
1)
Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGP10N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGW10N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
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參數(shù)描述
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SGB10UF 制造商:SSDI 制造商全稱:Solid States Devices, Inc 功能描述:60 mA 1000 - 3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER
SGB10UF_1 制造商:SSDI 制造商全稱:Solid States Devices, Inc 功能描述:HIGH VOLTAGE RECTIFIER
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