參數(shù)資料
型號(hào)： SGB02N60
廠(chǎng)商： SIEMENS A G
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
中文描述： 6 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大小： 276K
代理商： SGB02N60
SGP02N60, SGB02N60
SGD02N60, SGU02N60
4
Mar-00
I
C
,
C
10Hz
100Hz
1kHz
10kHz
100kHz
0A
2A
4A
6A
8A
10A
12A
14A
16A
T
C
=110°C
T
C
=80°C
I
C
,
C
1V
10V
100V
1000V
0.01A
0.1A
1A
10A
DC
1ms
200
μ
s
50
μ
s
15
μ
s
t
p
=2
μ
s
f
,
SWITCHING FREQUENCY
Figure 1. Collector current as a function of
switching frequency
(
T
j
≤
150
°
C,
D =
0.5,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
R
G
= 118
)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 2. Safe operating area
(
D =
0,
T
C
= 25
°
C,
T
j
≤
150
°
C)
P
t
,
P
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
0W
5W
10W
15W
20W
25W
30W
35W
I
C
,
C
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
0A
1A
2A
3A
4A
5A
6A
7A
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 3. Power dissipation (IGBT) as a
function of case temperature
(
T
j
≤
150
°
C)
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 4. Collector current as a function of
case temperature
(
V
GE
≤
15V,
T
j
≤
150
°
C)
I
c
I
c
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGD02N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGP02N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術(shù)中的快速S-IGBT)
SGU02N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGB04N60 Fast IGBT in NPT-technology
SGD04N60 Fast IGBT in NPT-technology
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGB02N60_06 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation
SGB02N60ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 600V 6A 30W TO263-3
SGB04N60 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 4A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGB04N60_06 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation
SGB06N60 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 6A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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