型號(hào): | SGB02N60 |
廠商: | SIEMENS A G |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT) |
中文描述: | 6 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB |
文件頁數(shù): | 10/12頁 |
文件大?。?/td> | 276K |
代理商: | SGB02N60 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SGB04N60 | Fast IGBT in NPT-technology |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SGB04N60 | 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 4A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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SGB06N60 | 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 6A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |