參數(shù)資料
型號： SGB02N120
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology
中文描述： 快速的S -不擴散核武器條約IGBT的技術(shù)
文件頁數(shù)： 8/13頁
文件大?。?/td> 389K
代理商： SGB02N120
Preliminary
SGP02N120
SGB02N120, SGD02N120
Power Semiconductors
8
Mar-00
V
G
,
G
-
E
0nC
5nC
10nC
15n
0V
5V
10V
15V
20V
U
CE
=960V
C
,
C
0V
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 18. Typical capacitance as a
function of collector-emitter voltage
(
V
GE
= 0V,
f
= 1MHz)
10V
20V
30V
10pF
100pF
C
rss
C
oss
C
iss
Q
GE
,
GATE CHARGE
Figure 17. Typical gate charge
(
I
C
= 2A)
t
s
,
S
10V
11V
12V
13V
14V
15V
0
μ
s
5
μ
s
10
μ
s
15
μ
s
20
μ
s
25
μ
s
30
μ
s
I
C
,
S
10V
12V
14V
16V
18V
20V
0A
10A
20A
30A
40A
V
GE
,
GATE
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 19. Short circuit withstand time as a
function of gate-emitter voltage
(
V
CE
= 1200V, start at
T
j
= 25
°
C)
V
GE
,
GATE
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 20. Typical short circuit collector
current as a function of gate-emitter voltage
(100V
≤
V
CE
≤
1200V,
T
C
= 25
°
C,
T
j
≤
150
°
C)
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