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參數(shù)資料
| 型號： | SFH314FA-2 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | .Neu: NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 45K |
| 代理商： | SFH314FA-2 |
Semiconductor Group
5
1997-11-27
SFH 314
SFH 314 FA
T
A
=
25
°
C,
λ =
950 nm
Rel. spectral sensitivity SFH 314
S
rel
=
f
(
λ
)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V, normalized to 25
o
C
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
V
CE
),
E
e
= parameter
λ
OHF02332
0
rel
S
400
10
20
30
40
50
60
70
80
%
100
500
600
700
800
900
nm 1100
T
OHF01524
A
0
-25
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
25
50
75
100
Ι
PCE
Ι
PCE
25
C
V
OHF02338
CE
PCE
Ι
0
10
0
-1
10
10
20
30
40
50
V
70
10
1
mA
0.5cm
2
2
cm
mW
1
2
cm
mW
0.25
0.1cm
2
Rel. spectr.sensitivity SFH 314 FA
,
S
rel
=
f
(
λ
)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
λ
OHF02331
0
rel
S
400
10
20
30
40
50
60
70
80
%
100
500
600
700
800
900
nm 1100
E
OHF02339
e
PCE
Ι
10
0
-2
10
10
-1
1
10
mA
10
-3
-2
10
0
10
mW/cm
2
10
-3
T
OHF02340
A
0
tot
P
0
20
40
60
80
C
100
50
100
150
200
250
mW
Dark current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
10
2
nA
Collector-emitter capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz
Dark current
I
CEO
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 10 V,
E
= 0
V
OHF02341
CE
0
CEO
Ι
-2
10
10
-1
10
0
10
1
10
20
30
40
50
70
V
V
OHF02344
CE
CE
C
0
10
-2
-1
10
0
10
1
10
10
2
V
10
20
30
40
pF
50
T
OHF02342
A
0
CEO
Ι
-2
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
nA
20
40
60
80
100
C
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