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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SFH314FA-2 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | .Neu: NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | SFH314FA-2 |
Semiconductor Group
3
1997-11-27
SFH 314
SFH 314 FA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°
C,
λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 314
SFH 314 FA
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λ
S max
850
870
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
λ
460 ... 1080
740 ... 1080
nm
A
0.55
0.55
mm
2
Abmessung der Chipflche
Dimensions of chip area
L
×
B
L
×
W
H
1
×
1
1
×
1
mm
×
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
3.4 ... 4.0
3.4 ... 4.0
mm
Halbwinkel
Half angle
Kapazitt,
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
±
40
±
40
Grad
deg.
C
CE
15
15
pF
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 10 V,
E
= 0
Fotostrom,
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CE
= 5 V
I
CEO
10 (
≤
200)
10 (
≤
200)
nA
I
PCE
I
PCE
≥
0.63
7
≥
0.63
–
mA
mA
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