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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SFH305 |
| 廠(chǎng)商： | SIEMENS A G |
| 元件分類(lèi)： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | HEADER,CON,14 POS,0.100INC |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 208K |
| 代理商： | SFH305 |
SFH 305
Semiconductor Group
264
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
1)
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1)
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Abmessung der Chipflche
Dimensions of chip area
L
×
B
L
×
W
H
0.6
×
0.6
mm
×
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
1.3 ... 1.9
mm
Halbwinkel
Half angle
±
16
Grad
deg.
Kapazitt
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 25 V,
E
= 0
C
CE
5.5
pF
I
CEO
3 (
≤
20)
nA
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
-2
-3
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
Kollektor-Emitter-Sttigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
×
0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
I
PCE
I
PCE
0.25 ... 0.5
1.4
0.4 ... 0.8
2.2
mA
mA
t
r
,
t
f
5.5
6
μ
s
V
CEsat
150
150
mV
Kennwerte
(
T
A
= 25
°
C,
λ
= 950 nm)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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