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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SFH305-2 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | Mini-Silicon NPN Phototransistor |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 208K |
| 代理商： | SFH305-2 |
Semiconductor Group
263
SFH 305
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
T
op
;
T
stg
Wert
Value
Einheit
Unit
°
C
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
– 40 ... + 80
Lttemperatur bei Tauchltung
Ltstelle
≥
2 mm vom Gehuse,
Ltzeit
t
≤
5 s
Dip soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
≤
5 s
Lttemperatur bei Kolbenltung
Ltstelle
≥
2 mm vom Gehuse,
Ltzeit
t
≤
3 s
Iron soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
≤
3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
T
S
230
°
C
T
S
300
°
C
V
CE
32
V
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
μ
s
Collector surge current
Verlustleistung,
T
A
= 25
°
C
Total power dissipation
I
C
50
mA
I
CS
200
mA
P
tot
70
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
950
K/W
Kennwerte
(
T
A
= 25
°
C,
λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
λ
S max
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
850
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
λ
460 ... 1060
nm
A
0.17
mm
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| SFH305 | HEADER,CON,14 POS,0.100INC |
| SFH305-3 | Mini-Silicon NPN Phototransistor |
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| SFH309P | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
| SFH309PF | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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