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參數(shù)資料
| 型號： | SEMD9 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array Preliminary data |
| 中文描述： | npn型/進步黨硅數(shù)字晶體管陣列的初步數(shù)據(jù) |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 165K |
| 代理商： | SEMD9 |
SEMD9
Feb-26-2004
4
PNP Type
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
CEsat
=
f
(
I
C
),
h
FE
= 20
0
0.2
0.4
0.6
V
1
V
CEsat
0
10
1
10
2
10
mA
I
C
DC Current Gain
h
FE
=
f (I
C
)
V
CE
= 5V (common emitter configuration)
10
-1
10
0
10
1
10
2
mA
I
C
0
10
1
10
2
10
3
10
-
h
F
Input off voltage
V
i(off)
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 5V (common emitter configuration)
0
0.5
1
V
2
V
i(off)
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
mA
I
C
Input on Voltage
V
i(on)
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 0.3V (common emitter configuration)
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
V
i(on)
-1
10
0
10
1
10
2
10
mA
I
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SEMH11 | NPN Silicon Digital Transistor |
| SEMH13 | NPN Silicon Digital Transistor Array Preliminary data |
| SEMH2 | NPN Silicon Digital Transistor Array Preliminary data |
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參數(shù)描述 |
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