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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SB180T26R |
| 廠(chǎng)商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | 二極管(射頻、小信號(hào)、開(kāi)關(guān)、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | SB180T26R |
SB120-SB1
100
SB120-SB1100, Rev. C
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Schottky Rectifier
(continued)
Typical Characteristics
0
20
406080
100
120
140
0
0.25
0.5
0.75
1
Lead Temperature [C]
Average
Rectified
Forward
Current,
I
F
[A]
SINGLE PHASE
HALF WAVE
60Hz
RESISTIVE OR
INDUCTIVE LOAD
.375" 9.5mm
LEAD LENGTHS
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0.1
1
10
20
Forward Voltage, V
F [V]
Forward
Current,
I
F
[A]
SB120
SB150-SB160
SB1100
T = 25 C
Pulse Width = 300
S
1% Duty Cycle
J
0.1
0.5
1
5
10
40 60 100
10
20
40
60
80
100
200
400
Reverse Voltage, V
R [V]
Total
Capacitance,
C
T
[pF]
T = 25 C
J
12
4
6 8 10
20
40
60
100
0
6
12
18
24
30
Number of Cycles at 60Hz
Peak
Forward
Surge
Current,
I
FSM
[A]
Figure 1. Forward Current Derating Curve
Figure 2. Forward Voltage Characteristics
Figure 3. Non-Repetitive Surge Current
Figure 4. Total Capacitance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SB1100T50A | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| SB1100T26A | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| SB160 | 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| SB130 | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| SB150 | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SB180-T3 | 制造商:WTE 制造商全稱(chēng):Won-Top Electronics 功能描述:1.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| SB180-TB | 制造商:WTE 制造商全稱(chēng):Won-Top Electronics 功能描述:1.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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| SB181A | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:ABSCHLUSSSTUECK OHNE ZUGENTLASTUNG 10POL |
| SB181CCA | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:ABSCHLUSSSTUECK MIT ZUGENTLASTUNG 10POL |
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