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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S71PL032J80BFW053 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類(lèi)： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
| 封裝： | 7 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-56 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 176/188頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 5078K |
| 代理商： | S71PL032J80BFW053 |
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May 21, 2004 S29PL127_064_032J_00_A1
S29PL127J/S29PL064J/S29PL032J for MCP
87
Prelimin ary
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase And Programming Performance” section for more information.
Table 25. Erase and Program Operations
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
55
60
65
70
Unit
tAVAV
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
55
60
65
70
ns
tAVWL
tAS
Address Setup Time
Min
0
ns
tASO
Address Setup Time to OE# low during toggle bit
polling
Min
15
ns
tWLAX
tAH
Address Hold Time
Min
30
35
ns
tAHT
Address Hold Time From CE# or OE# high during
toggle bit polling
Min
0
ns
tDVWH
tDS
Data Setup Time
Min
25
30
ns
tWHDX
tDH
Data Hold Time
Min
0
ns
tOEPH
Output Enable High during toggle bit polling
Min
10
ns
tGHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
tELWL
tCS
CE# Setup Time
Min
0
ns
tWHEH
tCH
CE# Hold Time
Min
0
ns
tWLWH
tWP
Write Pulse Width
Min
35
40
ns
tWHDL
tWPH
Write Pulse Width High
Min
20
25
ns
tSR/W
Latency Between Read and Write Operations
Min
0
ns
tWHWH1
Typ
6
s
tWHWH1
Typ
4
s
tWHWH2
Typ
0.5
sec
tVCS
Min
50
s
tRB
Write Recovery Time from RY/BY#
Min
0
ns
tBUSY
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay
Max
90
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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