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參數(shù)資料
| 型號： | S29JL032H70TAI020 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | MO-142DD, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 5/66頁 |
| 文件大小： | 1556K |
| 代理商： | S29JL032H70TAI020 |
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2005
年
3
月
9
日
S29JL032HA11
S29JL032H
5
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
概要
S29JL032H
は，
32M
ビット（
2,097,152
ワード×
16
ビット，または
4,194,304
バイ
ト×
8
ビット構成），
3.0 V
単一電源フラッシュメモリデバイスです。データは，
DQ15
～
DQ0
（ワードモード時），または
DQ7
～
DQ0
（バイトモード時）に出力されます。本デ
バイスは，システムに実裝したまま，
3.0 V V
CC
標準電源によりプログラムできるほか，
標準の
EPROM
ライタを使ってもプログラムできるように設計されています。
アクセスタイムによる各種バージョン（
60
，
70
，
90 ns
）と，
48
ピン
TSOP
パッケージ
を用意しています。標準搭載の制御端子（チップイネーブル（
CE#
），ライトイネーブル
（
WE#
），出力イネーブル（
OE#
））により，通常のリード
/
ライト動作を制御し，バス競
合問題を回避しています。
デバイスのリード
/
ライト機能は，
3.0 V
単一電源
びイレーズ動作では，內(nèi)部で生成され，安定化された電源を使用します。
のみで動作可能です。プログラムおよ
遅延時間ゼロで同時に実行可能なリード
/
メモリ空間を別個のバンクに分割したリード
/
ライト同時実行アーキテクチャにより，
時実行
が可能です（表
2
を參照してください）。セクタアドレスは固定されていますので，
システムソフトウェアによりユーザ定義によるバンクグループを構成することができま
す。
ライト動作
同
イレーズ
/
プログラム動作の対象となっていないバンクのいずれからも，動作中にデータ
をリードすることができます。ただし，同時実行可能なバンクは
2
つのみとなります。ま
た，ホストシステムがあるバンクをプログラムまたはイレーズしながら，別のバンクから
のリードを遅延時間ゼロで速やかにかつ同時に行なえるようにして，全體的なシステム性
能を向上させています。これにより，システムはプログラムまたはイレーズ動作が完了す
るのを待たなくてもよいことになります。
また，
S29JL032H
は，トップ
/
ボトムの両ブートセクタ構成で構成することができます。
S29JL032H
の特徴
SecSi
（セキュアドシリコン）セクタ
は，弊社工場またはユーザにより恒久的にロック
可能な
256
バイトのセクタです。このセクタがユーザによりロックされると，
SecSi
ユー
ザインジケータビット（
DQ6
）が恒久的に「
1
」にセットされます。また，工場にてロッ
クされると恒久的に「
0
」にセットされます。ユーザによるロックを可能にする場合は「
0
」
のまま出荷されます。このように，ユーザがロック可能なパーツは，工場にてロックされ
たパーツを書き換えられないようになっています。
工場にてロックされるパーツには數(shù)通りのオプションがあります。
SecSi
セクタ
には，ラ
ンダムでセキュアな
16
バイト
ESN
（電子シリアル番號），またはユーザコード（
Spansion
プログラミングサービスによりプログラムされます），あるいはこの両方を格納することが
できます。ユーザロック可能なパーツとして
SecSi
セクタをボーナス空間として使用し，
他のフラッシュセクタと同様にリード
/
ライトしたり，ユーザ獨自のコードを格納して恒
久的にロックすることができます。
DMS
（データ管理ソフトウェア）
を使用すれば，本製品シリーズのリード
/
ライト同時実
行可能という最新アーキテクチャをフルに利用して，従來の
EEPROM
デバイスを置き換え
ることが可能です。
DMS
はまた，単バイトごとの修正ではなく，ファイル構造のデータを
修正することができ，これに必要なすべての機能を?qū)g行しますので，システムソフトウェ
アを簡素化することができます。あるデータ（たとえば，電話番號や構成データなど）を
書込んだり，更新する場合も，ユーザは，更新対象のデータを指定し，更新したデータを
システムに格納する位置を記述するだけで済みます。これは，従來のように，舊データの
位置や狀態(tài)，フラッシュメモリデバイス（またはメモリデバイス）に対するデータのロジッ
ク物理変換などをユーザが書込むソフトウェアで管理しなければならないシステムに比
べると，はるかに簡単です。
DMS
を使用すれば，ユーザが用意するソフトウェアとフラッ
シュメモリが直接インタフェースする必要がなくなります。ユーザ側(cè)のソフトウェアは，
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29JL032H70TAI021 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI022 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI023 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI210 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI211 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29JL032H70TAI021 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI022 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI023 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI210 | 功能描述:閃存 90NS 3V 32MB 29DL800 TP BT BLCK IC-FEPROM RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29JL032H70TAI211 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
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