STTA12006TV1

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型號
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封裝
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價(jià)格
說明
操作

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功能描述
整流器 60/2X60 Amp 600 Volt
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
產(chǎn)品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向電壓
100 V
正向電壓下降
恢復(fù)時(shí)間
1.2 us
正向連續(xù)電流
2 A
最大浪涌電流
35 A
反向電流 IR
5 uA
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-221AC
封裝
Reel

STTA12006TV1 技術(shù)參數(shù)

STTA112U 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:TURBOSWITCH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.65V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:115ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應(yīng)商器件封裝:SMB 工作溫度 - 結(jié):125°C（最大）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STTA106U 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:TURBOSWITCH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.75V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:50ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應(yīng)商器件封裝:SMB 工作溫度 - 結(jié):125°C（最大）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STT818B 功能描述:TRANS PNP 30V 3A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 20mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:1.2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STT7P2UH7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:22.5 毫歐 @ 3.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2390pF @ 16V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STT6N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:283pF @ 24V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STTA2512P STTA3006CW STTA3006P STTA3006PIRG STTA306B-TR STTA312B STTA406 STTA406RL STTA506B STTA506B-TR STTA506D STTA512B STTA512F STTA512FP STTA6006TV1 STTA6006TV2 STTA806D STTA806DI