STGD6NC60HDT4

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功能描述
IGBT 晶體管 PowerMESH" IGBT
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
650 V
集電極—射極飽和電壓
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
150 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作溫度
封裝 / 箱體
TO-247
封裝
Tube

STGD6NC60HDT4 技術(shù)參數(shù)

STGD6NC60H-1 功能描述:IGBT N-CH 600V 7A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:62.5W 開關(guān)能量:20μJ（開），68μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:13.6nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:12ns/76ns 測試條件:390V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:IPAK（TO-251）標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STGD6M65DF2 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Surface Mount DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):24A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，6A 功率 - 最大值:88W 開關(guān)能量:36μJ（開），200μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:21.2nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:15ns/90ns 測試條件:400V，6A，22 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:140ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGD5NB120SZT4 功能描述:IGBT 1200V 10A 75W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):10A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，5A 功率 - 最大值:75W 開關(guān)能量:2.59mJ（開），9mJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:690ns/12.1μs 測試條件:960V，5A，1 千歐，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGD5NB120SZ-1 功能描述:IGBT 1200V 10A 75W IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):10A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，5A 功率 - 最大值:75W 開關(guān)能量:2.59mJ（開），9mJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:690ns/12.1μs 測試條件:960V，5A，1 千歐，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STGD5H60DF 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.95V @ 15V，5A 功率 - 最大值:83W 開關(guān)能量:56μJ（開），78.5μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:43nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:30ns/140ns 測試條件:400V，5A，47 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:134.5ns 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGDL6NC60DT4 STGE200N60K STGE200NB60S STGE50NB60HD STGE50NC60VD STGE50NC60WD STGF10H60DF STGF10M65DF2 STGF10NB60SD STGF10NC60HD STGF10NC60KD STGF10NC60SD STGF12NB60KD STGF14N60D STGF14NC60KD STGF15H60DF STGF15M65DF2 STGF17NC60SD