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STGD18N40LZT4

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
STGD18N40LZT4 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT 晶體管 EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT
  • RoHS
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor
  • 配置
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 650 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 2.3 V
  • 柵極/發(fā)射極最大電壓
  • 20 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流
  • 150 A
  • 柵極—射極漏泄電流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 187 W
  • 最大工作溫度
  • 封裝 / 箱體
  • TO-247
  • 封裝
  • Tube
STGD18N40LZT4 技術(shù)參數(shù)
  • STGD18N40LZ-1 功能描述:IGBT 420V 25A 125W IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):420V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.7V @ 4.5V,10A 功率 - 最大值:125W 開關(guān)能量:- 輸入類型:邏輯 柵極電荷:29nc 25°C 時 Td(開/關(guān))值:650ns/13.5μs 測試條件:300V,10A,5V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STGD14NC60KT4 功能描述:IGBT 600V 25A 80W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):- 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,7A 功率 - 最大值:80W 開關(guān)能量:82μJ(開),155μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:34.4nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:22.5ns/116ns 測試條件:390V,7A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGD10NC60ST4 功能描述:IGBT 600V 18A 60W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):18A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):25A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.65V @ 15V,5A 功率 - 最大值:60W 開關(guān)能量:60μJ(開),340μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:18nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:19ns/160ns 測試條件:390V,5A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGD10NC60SDT4 功能描述:IGBT 600V 18A 60W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):18A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):25A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.65V @ 15V,5A 功率 - 最大值:60W 開關(guān)能量:60μJ(開),340μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:18nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:19ns/160ns 測試條件:390V,5A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):22ns 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGD10NC60KDT4 功能描述:IGBT 600V 20A 62W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):30A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,5A 功率 - 最大值:62W 開關(guān)能量:55μJ(開),85μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:19nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:17ns/72ns 測試條件:390V,5A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):22ns 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGD3NC120H-1 STGD4M65DF2 STGD5H60DF STGD5NB120SZ-1 STGD5NB120SZT4 STGD6M65DF2 STGD6NC60H-1 STGD6NC60HDT4 STGD6NC60HT4 STGD7NB120S-1 STGD7NB120ST4 STGD7NB60KT4 STGD7NB60ST4 STGD7NC60HT4 STGD8NC60KDT4 STGD8NC60KT4 STGDL6NC60DIT4 STGDL6NC60DT4
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