STGB20NB37LZ

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型號
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封裝
批號
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說明
操作

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功能描述
IGBT 晶體管 N-Channel 20 Amp IGBT
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
650 V
集電極—射極飽和電壓
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
150 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作溫度
封裝 / 箱體
TO-247
封裝
Tube

STGB20NB37LZ 技術(shù)參數(shù)

STGB20NB32LZ 功能描述:IGBT 375V 40A 150W I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:375V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 4.5V，20A 功率 - 最大值:150W 開關(guān)能量:11.8mJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:51nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:2.3μs/11.5μs 測試條件:250V，20A，1 千歐，4.5V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 STGB20N45LZAG 功能描述:POWER TRANSISTORS 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.25V @ 4V，6A 功率 - 最大值:150W 開關(guān)能量:- 輸入類型:邏輯柵極電荷:26nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:1.1μs/4.6μs 測試條件:300V，10A，1 千歐，5V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB20N40LZ 功能描述:IGBT 390V 25A 150W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:390V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.6V @ 4V，6A 功率 - 最大值:150W 開關(guān)能量:- 輸入類型:邏輯柵極電荷:24nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:700ns/4.3μs 測試條件:300V，10A，1 千歐，5V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB20H60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 167W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 開關(guān)能量:209μJ（開），261μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:115nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:42.5ns/177ns 測試條件:400V，20A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:90ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB19NC60WT4 功能描述:IGBT 600V 40A 130W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):- 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，12A 功率 - 最大值:130W 開關(guān)能量:81μJ（開），125μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:53nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:25ns/90ns 測試條件:390V，12A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB30H60DLFB STGB30M65DF2 STGB30NC60KT4 STGB30NC60WT4 STGB30V60DF STGB30V60F STGB35N35LZ-1 STGB35N35LZT4 STGB3HF60HD STGB3NB60FDT4 STGB3NB60KDT4 STGB3NB60SDT4 STGB3NC120HDT4 STGB40H65FB STGB40V60F STGB4M65DF2 STGB5H60DF STGB6M65DF2