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SI2308BDS-T1-GE3

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • SI2308BDS-T1-GE3
    SI2308BDS-T1-GE3

    SI2308BDS-T1-GE3

  • 深圳市信通吉電子有限公司
    深圳市信通吉電子有限公司

    聯(lián)系人：馮

    電話：17841084408

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和大廈B座20

  • 120000

  • VISHAY

  • SOT-23

  • 2019+

  • -

  • 香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)商

  • SI2308BDS-T1-GE3
    SI2308BDS-T1-GE3

    SI2308BDS-T1-GE3

  • 深圳市軒盛達電子有限公司
    深圳市軒盛達電子有限公司

    聯(lián)系人：陳

    電話：1588932848313924772445

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和華強大廈五樓5C103

  • 10000

  • -

  • 原廠原裝現(xiàn)貨，代找緊缺料

  • SI2308BDS-T1-GE3
    SI2308BDS-T1-GE3

    SI2308BDS-T1-GE3

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人：胡

    電話：13480313979

    地址：深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • VISHAY

  • N/A

  • 22+

  • -

  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • SI2308BDS-T1-GE3
    SI2308BDS-T1-GE3

    SI2308BDS-T1-GE3

  • 深圳市鵬威爾科技有限公司
    深圳市鵬威爾科技有限公司

    聯(lián)系人：胡慶偉

    電話：13138879988

    地址：深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號 富源商貿(mào)中心D棟601

  • 128643

  • VIS

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -

  • 0.09676 USD,szpoweri...

SI2308BDS-T1-GE3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
SI2308BDS-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)
  • SI2304DS,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.7A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:117 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:195pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SI2302DS,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:85 毫歐 @ 3.6A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:650mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:230pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SI2196-A10-GMR 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:WORLDWIDE HYBRID ANALOG AND DIGITAL TV TUNER WITH ANALOG VID - Tape and Reel 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:IC ATV/DTV TUNER HYBRID 40-QFN SI2196-A10-GM 功能描述:IC ATV/DTV TUNER HYBRID 40-QFN RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 接收器 系列:* 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 09/Jan/2012 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:* 頻率:850MHz ~ 2.175GHz 靈敏度:- 數(shù)據(jù)傳輸率 - 最大:- 調(diào)制或協(xié)議:- 應(yīng)用:* 電流 - 接收:* 數(shù)據(jù)接口:PCB，表面貼裝 存儲容量:- 天線連接器:PCB，表面貼裝 特點:- 電源電壓:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:0°C ~ 85°C 封裝/外殼:40-WFQFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:40-TQFN-EP（6x6） 包裝:托盤 SI2185-A10-GMR 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:HYBRID DIGITAL AND ANALOG TV RECEIVER FOR DVB-T/C, PAL/SECAM - Tape and Reel 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:IC ATV/DTV TUNER HYBRID 48-QFN SI2312BDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 SI2312-TP SI2314EDS-T1-E3 SI2314EDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-GE3 SI2316BDS-T1-E3 SI2316BDS-T1-GE3 SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 SI2318DS-T1-E3 SI2318DS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-GE3 SI2321DS-T1-E3
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