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STULED524

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    STULED524

    STULED524

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

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  • STULED524
    STULED524

    STULED524

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 3526

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  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • POWER MOSFET - Tape and Reel
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 525V 4A IPAK
STULED524 技術(shù)參數(shù)
  • STUDIO-30630-EVB 功能描述:ICM-30630 FireFly Accelerometer, Gyroscope, Magnetometer Sensor Evaluation Board 制造商:invensense 系列:FireFly 零件狀態(tài):有效 傳感器類型:加速計，陀螺儀，磁力計 感應(yīng)范圍:- 接口:I2C，SPI 靈敏度:- 電壓 - 電源:- 嵌入式:否 所含物品:2 個板 使用的 IC/零件:ICM-30630 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STU9N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:315pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:IPAK（TO-251） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU9N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:780 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:320pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:IPAK（TO-251） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU9HN65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:820 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:325pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU95N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.7 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2200pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STUSB03EQR STUSB06EHTR STUSB1600AQTR STUSB1600QTR STUSB1602AQTR STUSB1602QTR STUSB4700QTR STUSB4710AQTR STUSB4710QTR STUSBCD01BJR STV0674T100 STV0684 STV08 STV0974E/TR STV0976 STV160NF02LAT4 STV160NF02LT4 STV160NF03LAT4
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