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STPA001AH

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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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  • 說明
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  • STPA001AH
    STPA001AH

    STPA001AH

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 5000

  • ST

  • QFP

  • 20+

  • -
  • 價(jià)格優(yōu)勢(shì)全新原裝正品

  • STPA001AH
    STPA001AH

    STPA001AH

  • 萬三科技(深圳)有限公司
    萬三科技(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:王俊杰

    電話:188185984650755-23763516

    地址:深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C

  • 6500000

  • STMicroelectronics

  • 原廠原裝

  • 22+

  • -
  • 萬三科技 秉承原裝 實(shí)單可議

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
STPA001AH PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
STPA001AH 技術(shù)參數(shù)
  • STPA001 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:power amplifiers moving to the green zone STP9NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):745 毫歐 @ 3.25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):17.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):452pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP9NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):560 毫歐 @ 3.7A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):570pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 STP9NM40N 功能描述:MOSFET N-CH 400V 5.6A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5.6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):790 毫歐 @ 2.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):14nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):365pF @ 50V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP9NK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.3 歐姆 @ 3.6A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2115pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STPAC01F2 STPAC02F1 STPCC5HEBC STPCH0.5MBBL STPCH0.5MBBR STPCH0.5MBBU STPCH0.5MBGR STPCH0.5MBRD STPCH0.5MBYL STPCH1.5MBBL STPCH1.5MBBR STPCH1.5MBBU STPCH1.5MBGR STPCH1.5MBRD STPCH1.5MBYL STPCH10MBBL STPCH10MBBR STPCH10MBBU
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