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STP260N4F7

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • STP260N4F7ES
    STP260N4F7ES

    STP260N4F7ES

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO220

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • STP260N4F7
    STP260N4F7

    STP260N4F7

  • 深圳市鵬展勝電子有限公司
    深圳市鵬展勝電子有限公司

    聯(lián)系人：林先生

    電話：135-3814-2003

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道佳和大廈A座2801

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • ST/意法半導(dǎo)體

  • TO-220-3

  • 21+

  • -

  • 原裝正品，假一賠十！

  • STP260N4F7
    STP260N4F7

    STP260N4F7

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：雷小姐

    電話：0755-2391507123915070（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）

    地址：華強(qiáng)街道賽格廣場55樓5566室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 65000

  • ST

  • TO-220

  • 16+

  • -

  • ★★★真實(shí)庫存，假一賠十，原廠授權(quán)★★★

  • STP260N4F7 存儲IC
    STP260N4F7 存儲IC

    STP260N4F7 存儲IC

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：張先生/雷小姐

    電話：0755-8279802015814679726（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）

    地址：華強(qiáng)街道賽格廣場55樓5566室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • ST/意法

  • TO-220

  • 21+原廠授權(quán)

  • -

  • ★原廠授權(quán)★價(jià)超代理★

  • STP260N4F7
    STP260N4F7

    STP260N4F7

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：廖R

    電話：13163738578

    地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 2810

  • ST/意法

  • TO-220

  • 16+

  • -

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
STP260N4F7 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • STripFET??
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 120A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 67nC @ 10V
  • Vgs（最大值）
  • ±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 5600pF @ 25V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 235W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 2.2 毫歐 @ 60A，10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-220
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 50
STP260N4F7 技術(shù)參數(shù)
  • STP25NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:21A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 10.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2400pF @ 50V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP25NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:21A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 10.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:84nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2400pF @ 50V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP25NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 22A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:84nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2565pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP25N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:19.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:260 毫歐 @ 19.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP25N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:188 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1090pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP27N60M2-EP STP28N60DM2 STP28N60M2 STP28N65M2 STP28NM50N STP28NM60ND STP28X0.2MBL STP28X0.2MBU STP28X0.2MGR STP28X0.2MIG STP28X0.2MOR STP28X0.2MRD STP28X0.2MVL STP28X0.2MYL STP28X0.5MBL STP28X0.5MBL-Q STP28X0.5MBU STP28X0.5MBU-Q
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