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STL8DN6LF6AG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • STL8DN6LF6AG
    STL8DN6LF6AG

    STL8DN6LF6AG

    現(xiàn)貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯(lián)系人:陳先生 13360533550

    電話:0755-83289799

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路漢國城市商業(yè)中心55層 香港新界葵興葵康大廈6樓

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 46091

  • ST(意法)

  • 22+

  • -
  • 原裝原廠現(xiàn)貨

  • STL8DN6LF6AG
    STL8DN6LF6AG

    STL8DN6LF6AG

  • 深圳市鵬展勝電子有限公司
    深圳市鵬展勝電子有限公司

    聯(lián)系人:林先生

    電話:135-3814-2003

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道佳和大廈A座2801

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 13212

  • ST(意法)

  • 原裝正品

  • 23/24+

  • -
  • 只做原裝正品 假一賠十 現(xiàn)貨

  • STL8DN6LF6AG
    STL8DN6LF6AG

    STL8DN6LF6AG

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • DFN5X6

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • STL8DN6LF6AG
    STL8DN6LF6AG

    STL8DN6LF6AG

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6005

  • ST/意法半導(dǎo)體

  • PowerFLAT-5x6-8

  • 22+

  • -
  • 原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票

  • STL8DN6LF6AG
    STL8DN6LF6AG

    STL8DN6LF6AG

  • 深圳市暢洲科技有限公司
    深圳市暢洲科技有限公司

    聯(lián)系人:吳小姐

    電話:852906044930755-82762262

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)深南中路3018號都會(huì)軒2506

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • ST(意法)

  • 8-PowerVDFN

  • 22+

  • -
  • 全新原裝正品

  • STL8DN6LF6AG
    STL8DN6LF6AG

    STL8DN6LF6AG

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 10000

  • ST

  • DIP/SOP

  • 19+

  • -
  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
STL8DN6LF6AG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • STripFET??
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 32A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 27 毫歐 @ 9.6A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)
  • 27nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)
  • 1340pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 55W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerVDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • PowerFlat?(5x6)
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
STL8DN6LF6AG 技術(shù)參數(shù)
  • STL8DN6LF3 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):20A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):30 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):668pF @ 25V 功率 - 最大值:65W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL8DN10LF3 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):20A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):20.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):970pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL86N3LLH6AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級,AEC-Q101,STripFET? H6 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.2 毫歐 @ 10.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):17nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2030pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL85N6F3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):85A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.7 毫歐 @ 8.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3400pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(6x5) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL80N75F6 功能描述:MOSFET N-CH 75V 18A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6.3 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7120pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL8P2UH7 STL8P4LLF6 STL90N10F7 STL90N3LLH6 STL90N6F7 STL92N10F7AG STL9N3LLH5 STL9N60M2 STL9N65M2 STL9P2UH7 STL9P3LLH6 STLA01PUR STLA02PUR STLC3055Q STLC3055QTR STLC3080 STLC3080TR STLC30R80
配單專家

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