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配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

STD9HN65M2
深圳市銘昌源科技有限公司
深圳市銘昌源科技有限公司
聯(lián)系人：優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨代理商
電話：0755-82774613鄧先生（13480915249）微信同步0755-82774613鄧先生
地址：深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
61989
STMicroelectronics
SMD
22+
-
優(yōu)勢(shì)代理，公司現(xiàn)貨可開票

STD9HN65M2
深圳市德江源電子有限公司
深圳市德江源電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：8296641615986789713
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道振華路100號(hào)深紡大廈C座1A層1A621室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
2500
ST/意法
DPAK
1547+
-
只做原裝，假一賠十

STD9HN65M2
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
86900
STMicroelectronics
DPAK
18+
-
MOSFET N-CH 650V 5.5...

STD9HN65M2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

STD9HN65M2
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6005
ST/意法半導(dǎo)體
TO-252-3
21+
-
原裝正品現(xiàn)貨可開增值稅發(fā)票

STD9HN65M2
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889159
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
isc,iscsemi
DPAK/TO-252
2024+
-
國產(chǎn)品牌，可替代原裝

STD9HN65M2
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室
10000
ST
DIP/SOP
19+
-
公司全新原裝正品,QQ153058080...

STD9HN65M2
深圳市科翼源電子有限公司
深圳市科翼源電子有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：13510998172
地址：振華路100號(hào)深紡大廈C座2樓E16
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3500
STM
DPAK
24+
-
原廠原裝正品現(xiàn)貨

STD9HN65M2
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
聯(lián)系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4306
STM
DPAK
2229+
-
十年專營，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

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功能描述
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? M2
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
5.5A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
820 毫歐 @ 2.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
11.5nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
325pF @ 100V
功率 - 最大值
60W
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝
DPAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

STD9HN65M2 技術(shù)參數(shù)

STD96N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.2 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2200pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD95NH02LT4 功能描述:MOSFET N-CH 24V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2070pF @ 15V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD95N4LF3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2500pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD95N4F3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2200pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD95N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.2 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2200pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STDC-002 STDC-003 STDC-004 STDC-005 STDC-102 STDC-103 STDC-104 STDC-105 STD-CX STDD15-05WFILM STDH2-KIT ST-DIESET-FRONT-TYPE(01) ST-DIESET-FRONT-TYPE(02) ST-DIESET-FRONT-TYPE(03) ST-DIESET-FRONT-TYPE(04) STDLED524 STDLED623 STDLED625