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STD15W-R

配單專(zhuān)家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

STD15W-R
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
TE Connectivity Raychem C
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

STD15W-R
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
10000
RAYCHEM
標(biāo)準(zhǔn)封裝
15+
-
原裝正品質(zhì)量保障

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共7條
1

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功能描述
電線鑒定 SNAP ON .232-.34" R PRICE PER EA MARKER
RoHS
否
制造商
TE Connectivity / Q-Cees
產(chǎn)品
Labels and Signs
類(lèi)型
材料
Vinyl
顏色
Blue
寬度
0.625 in
長(zhǎng)度
1 in

STD15W-R 技術(shù)參數(shù)

STD15NF10T4 功能描述:MOSFET N-CH 100V 23A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:870pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD15N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 11A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:340 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:816pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD15N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:378 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:590pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD155N3LH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:80nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3800pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD155N3H6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:62nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3650pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD16N50M2 STD16N60M2 STD16N65M2 STD16N65M5 STD16NF06LT4 STD16NF06T4 STD16NF25 STD170N4F7AG STD17-APPLICATOR STD17NF03L-1 STD17NF03LT4 STD17NF25 STD17W-0 STD17W-1 STD17W-2 STD17W-3 STD17W-4 STD17W-5