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STD11N60DM2

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STD11N60DM2
    STD11N60DM2

    STD11N60DM2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • STD11N60DM2
    STD11N60DM2

    STD11N60DM2

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 6008

  • ST/意法半導體

  • TO-252-3

  • 21+

  • -

  • 原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票

  • STD11N60DM2
    STD11N60DM2

    STD11N60DM2

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 7500

  • ST MICROELECTRONICS

  • 價格優(yōu)勢

  • 2423

  • -

  • 全新原裝渠道現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
STD11N60DM2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh??
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 650V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 10A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 420 毫歐 @ 5A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 16.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 614pF @ 100V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • *
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
  • 供應商器件封裝
  • DPAK
  • 標準包裝
  • 1
STD11N60DM2 技術參數(shù)
  • STD11N50M2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:530 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:395pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STD110N8F6 功能描述:MOSFET N-CH 80V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9130pF @ 40V 功率 - 最大值:167W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STD10PF06T4 功能描述:MOSFET P-CH 60V 10A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:850pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD10PF06-1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 10A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:850pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STD10P6F6 功能描述:MOSFET P CH 60V 10A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:340pF @ 48V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STD120N4LF6 STD12100TR STD127DT4 STD12N10T4G STD12N50DM2 STD12N50M2 STD12N60M2 STD12N65M2 STD12N65M5 STD12NF06-1 STD12NF06L-1 STD12NF06LT4 STD12NF06T4 STD12NM50N STD12NM50ND STD12W-0 STD12W-1 STD12W-2
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