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SIR888DP-T1-GE3

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
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  • 操作
  • SIR888DP-T1-GE3
    SIR888DP-T1-GE3

    SIR888DP-T1-GE3

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話(huà)：13760200702

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海商業(yè)廣場(chǎng)C棟706

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 1000

  • VIS

  • QFN8

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  • 絕對(duì)原裝現(xiàn)貨！

  • SIR888DP-T1-GE3
    SIR888DP-T1-GE3

    SIR888DP-T1-GE3

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Vishay/Siliconix

  • PowerPAK? SO-8

  • 09+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • SIR888DP-T1-GE3
    SIR888DP-T1-GE3

    SIR888DP-T1-GE3

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • VISHAY

  • SO-8

  • 最新批號(hào)

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  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共14條 
  • 1
SIR888DP-T1-GE3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET 25V 40A 48W 3.25mohm @ 10V
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
SIR888DP-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)
  • SIR67-21C/TR8 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 65mA 0.5mW/sr @ 20mA 120° 2-SMD, J-Lead 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:紅外線(xiàn) 電流 - DC 正向（If）:65mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:0.5mW/sr @ 20mA 波長(zhǎng):875nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:120° 朝向:通用 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD，J 形引線(xiàn) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SIR-56ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):950nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 SIR-568ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.6V 100mA 18mW/sr @ 50mA 26° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:18mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):850nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.6V 視角:26° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 SIR-563ST3FM 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.34V 100mA 9mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:9mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.34V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 SIR-505STA47F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.38V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):950nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.38V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 SIRA10DP-T1-GE3 SIRA12DP-T1-GE3 SIRA14DP-T1-GE3 SIRA16DP-T1-GE3 SIRA18ADP-T1-GE3 SIRA18DP-T1-GE3 SIRA18DP-T1-RE3 SIRA20DP-T1-RE3 SIRA22DP-T1-RE3 SIRA24DP-T1-GE3 SIRA26DP-T1-RE3 SIRA32DP-T1-RE3 SIRA34DP-T1-GE3 SIRA36DP-T1-GE3 SIRA50DP-T1-RE3 SIRA52DP-T1-GE3 SIRA52DP-T1-RE3 SIRA54DP-T1-GE3
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