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SI5515DC-T1-GE3

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    SI5515DC-T1-GE3

    SI5515DC-T1-GE3

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • VISHAY

  • SOT-163

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SI5515DC-T1-GE3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> FET - 陣列
  • 系列
  • TrenchFET®
  • 產品目錄繪圖
  • 8-SOIC Mosfet Package
  • 標準包裝
  • 1
  • 系列
  • -
  • FET 型
  • 2 個 N 溝道（雙）
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 3A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
  • 75 毫歐 @ 4.6A，10V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）
  • 3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 20nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • -
  • 功率 - 最大
  • 1.4W
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • PowerPAK? SO-8
  • 供應商設備封裝
  • PowerPAK? SO-8
  • 包裝
  • Digi-Reel®
  • 產品目錄頁面
  • 1664 (CN2011-ZH PDF)
  • 其它名稱
  • SI7948DP-T1-GE3DKR
SI5515DC-T1-GE3 技術參數
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