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SGNMA3T2000

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  • SGNMA3T2000
    SGNMA3T2000

    SGNMA3T2000

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Sprague-Goodman

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝

  • SGNMA3T20005
    SGNMA3T20005

    SGNMA3T20005

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 85

  • SPRAGUE G

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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SGNMA3T2000 技術(shù)參數(shù)
  • SGNE06C270MT6R8G60 功能描述:VARISTOR 27V 0201 制造商:tdk corporation 系列:SGNE 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 變阻器電壓:21.6V 壓敏電壓(典型):27V 壓敏電壓(最大):32.4V 電流 - 浪涌:- 電路數(shù):1 最大 AC 電壓:- 最大 DC 電壓:15VDC 能量:- 封裝/外殼:0201(0603 公制) 安裝類型:表面貼裝 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SGNE06C080MT150N25 功能描述:VARISTOR 8V 0201 制造商:tdk corporation 系列:SGNE 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 變阻器電壓:6.4V 壓敏電壓(典型):8V 壓敏電壓(最大):9.6V 電流 - 浪涌:- 電路數(shù):1 最大 AC 電壓:- 最大 DC 電壓:4.3VDC 能量:- 封裝/外殼:0201(0603 公制) 安裝類型:表面貼裝 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SGN08G72G1BB2SA-DCWRT 功能描述:MODULE DDR3 SDRAM 8GB 204SOUDIMM 制造商:swissbit na inc. 系列:- 零件狀態(tài):過期 存儲(chǔ)器類型:DDR3 SDRAM 存儲(chǔ)容量:8GB 速度:1600MT/s 封裝/外殼:204-SO-UDIMM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 SGN08G64B3BB2SA-DCWRT 功能描述:MODULE DDR3 SDRAM 8GB 204SODIMM 制造商:swissbit na inc. 系列:- 零件狀態(tài):過期 存儲(chǔ)器類型:DDR3 SDRAM 存儲(chǔ)容量:8GB 速度:1600MT/s 封裝/外殼:204-SODIMM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 SGN04G72G1BD2SA-CCWRT 功能描述:MODULE DDR3 SDRAM 4GB 204SOUDIMM 制造商:swissbit na inc. 系列:- 零件狀態(tài):過期 存儲(chǔ)器類型:DDR3 SDRAM 存儲(chǔ)容量:4GB 速度:1333MT/s 封裝/外殼:204-SO-UDIMM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 SGNMNC1054EK SGNMNC1054K SGNMNC1056 SGNMNC1056E SGNMNC1056EK SGNMNC1056K SGNMNC1059 SGNMNC1059E SGNMNC1059EK SGNMNC1059K SGNMNC1103 SGNMNC1103E SGNMNC1103EK SGNMNC1103K SGNMNC1106 SGNMNC1106E SGNMNC1106EK SGNMNC1106K
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