R9G22809ASOO

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制造商
Powerex Power Semiconductors
功能描述
DIODE FAST REC R9G 900A 2800V

R9G22809ASOO 技術(shù)參數(shù)

R9G01222XX 功能描述:DIODE MODULE 1.2KV 2200A DO200AB 制造商:powerex inc. 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:2200A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1500A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:15μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:150mA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:DO-200AB，B-PUK 供應(yīng)商器件封裝:DO-200AB，B-PUK 工作溫度 - 結(jié):* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 R8J73540BGZV 功能描述:SH-MOBILE, PB-FREE RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器，系列:SH-Mobile 標(biāo)準(zhǔn)包裝:160 系列:S08 核心處理器:S08 芯體尺寸:8-位速度:40MHz 連通性:I²C，LIN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:LCD，LVD，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):53 程序存儲(chǔ)器容量:32KB（32K x 8）程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:1.9K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 12x12b 振蕩器型:內(nèi)部工作溫度:-40°C ~ 105°C 封裝/外殼:64-LQFP 包裝:托盤 R8J73437BGZV 功能描述:SH-MOBILE 3AS RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器，系列:SH-Mobile 標(biāo)準(zhǔn)包裝:160 系列:S08 核心處理器:S08 芯體尺寸:8-位速度:40MHz 連通性:I²C，LIN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:LCD，LVD，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):53 程序存儲(chǔ)器容量:32KB（32K x 8）程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:1.9K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 12x12b 振蕩器型:內(nèi)部工作溫度:-40°C ~ 105°C 封裝/外殼:64-LQFP 包裝:托盤 R8A77850BDBGV#RD0Z 功能描述:IC SUPERH MPU ROMLESS 436BGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器，系列:SuperH® SH7780 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:PSOC® 3 CY8C38xx 核心處理器:8051 芯體尺寸:8-位速度:67MHz 連通性:EBI/EMI，I²C，LIN，SPI，UART/USART 外圍設(shè)備:電容感應(yīng)，DMA，LCD，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):25 程序存儲(chǔ)器容量:64KB（64K x 8）程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:2K x 8 RAM 容量:8K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):1.71 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 2x20b，D/A 4x8b 振蕩器型:內(nèi)部工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFQFN 裸露焊盤包裝:托盤 R8A77850ANBGV 功能描述:IC SUPERH MPU ROMLESS 436-BGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器，系列:SuperH® SH7780 標(biāo)準(zhǔn)包裝:160 系列:S08 核心處理器:S08 芯體尺寸:8-位速度:40MHz 連通性:I²C，LIN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:LCD，LVD，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):53 程序存儲(chǔ)器容量:32KB（32K x 8）程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:1.9K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 12x12b 振蕩器型:內(nèi)部工作溫度:-40°C ~ 105°C 封裝/外殼:64-LQFP 包裝:托盤 R9S02230XX R9S02430XX R9S02630XX RA 13 RA 13V RA 13V1 RA000-001999DN RA000-002999DN RA000-003999DN RA001-001999DN RA001-002999DN RA001-003999DN RA001-004999DN RA002-001999DN RA002-002999DN RA012020BB10038BF1 RA012020BB10133BJ1 RA012020BB10136BJ1