MOSFET 二極管 NTJD5121NT1G SOT-363 22+ ON 全新原裝現(xiàn)貨

產(chǎn)品信息


產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SC-88-6
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 295 mA
Rds On-漏源導通電阻: 1.6 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 900 pC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 mW
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: onsemi
配置: Dual
下降時間: 32 ns
高度: 0.9 mm
長度: 2 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 34 ns
系列: NTJD5121N
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
典型關閉延遲時間: 34 ns
典型接通延遲時間: 22 ns
寬度: 1.25 mm
單位重量: 6 mg
 
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公司介紹

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