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FET 類型 | P 通道 | |
技術(shù) | MOSFET(金屬氧化物) | |
漏源電壓(Vdss) | 50 V | |
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 130mA(Ta) | |
驅(qū)動(dòng)電壓( Rds On, Rds On) | 5V | |
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻() | 10 歐姆 @ 100mA,5V | |
不同 Id 時(shí) Vgs(th)() | 2V @ 250μA | |
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)() | 2.2 nC @ 10 V | |
Vgs() | ±20V | |
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)() | 36 pF @ 5 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散() | 225mW(Ta) | |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
等級(jí) | 汽車(chē)級(jí) | |
資質(zhì) | AEC-Q101 | |
安裝類型 | 表面貼裝型 | |
供應(yīng)商器件封裝 | SOT-23-3(TO-236) | |
封裝/外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
基本產(chǎn)品編號(hào) | BVSS84 |
電話:17862669251
聯(lián)系人:洪寶宇 (先生)
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地址:北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505(京北通宇)
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