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FET 類型 | N 通道 | |
技術(shù) | MOSFET(金屬氧化物) | |
漏源電壓(Vdss) | 80 V | |
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 110A(Tc) | |
驅(qū)動電壓() | 10V | |
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻() | 6.5 毫歐 @ 55A,10V | |
不同 Id 時 Vgs(th)() | 4.5V @ 250μA | |
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)() | 150 nC @ 10 V | |
Vgs() | ±20V | |
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)() | 9130 pF @ 40 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 200W(Tc) | |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
安裝類型 | 通孔 | |
供應(yīng)商器件封裝 | TO-220 | |
封裝/外殼 | TO-220-3 | |
基本產(chǎn)品編號 | STP110 |
電話:17862669251
聯(lián)系人:洪先生 (先生)
QQ:
郵箱:hongby@buyelec.net
地址:北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
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