參數(shù)資料
型號： PHD12NQ15T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS transistor
中文描述： 12.5 A, 150 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大小： 114K
代理商： PHD12NQ15T
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHP12NQ15T, PHB12NQ15T
PHD12NQ15T
MECHANICAL DATA
Fig.19. SOT428 surface mounting package. Centre pin connected to mounting base.
Notes
1. This product is supplied in anti-static packaging. The gate-source input must be protected against static
discharge during transport or handling.
2. Refer to SMD Footprint Design and Soldering Guidelines, Data Handbook SC18.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT428
98-04-07
0
10
20 mm
scale
Plastic single-ended surface mounted package (Philips version of D-PAK); 3 leads
(one lead cropped)
SOT428
E
b2
D1
wA
M
bc
b1
L1
L
13
2
D
E1
HE
L2
Note
1. Measured from heatsink back to lead.
e1
e
A
A2
A
A1
y
seating plane
mounting
base
A1
(1)
D
max.
b
D1
max.
E
max.
HE
max.
w
y
max.
A2
b2
b1
max.
c
E1
min.
ee1
L1
min.
L2
L
A
max.
UNIT
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.2
mm
2.38
2.22
0.65
0.45
0.89
0.71
0.89
0.71
1.1
0.9
5.36
5.26
0.4
0.2
6.22
5.98
4.81
4.45
2.285
4.57
10.4
9.6
0.5
0.7
0.5
6.73
6.47
4.0
2.95
2.55
August 1999
10
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP15N06E PowerMOS transistor
PHT2NQ10T N-channel TrenchMOS transistor
PHX5N40E PowerMOS transistor Isolated version of PHP10N40E
PHX5N50E PowerMOS transistor Isolated version of PHP8N50E
PHX6N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHD13003C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTORDIODENPN400V1.5ATO92 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,DIODE,NPN,400V,1.5A,TO92 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,DIODE,NPN,400V,1.5A,TO92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Power Dissipation Pd:2.1W; DC Collector Current:1.5A; DC Current Gain hFE:17; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
PHD13003C,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT H-VOLT PWR BPT 700V 2 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD13003C,412 功能描述:兩極晶體管 - BJT Single NPN 1.5A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD13003C126 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN POWER TRANSISTOR 400 V 1.5 A 3-TO
PHD13005 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 4A 700V TO220AB 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 4A, 700V, TO220AB 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 4A, 700V, TO220AB; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Power Dissipation Pd:75W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:20; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*