PT100R-1000HM

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封裝
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說明
操作

PT100R-1000HM
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
API Delevan Inc.
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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功能描述
固定電感器 100uH 15% .08ohm HznMnt Toroid PwrInd
RoHS
否
制造商
AVX
電感
10 uH
容差
20 %
最大直流電流
1 A
最大直流電阻
0.075 Ohms
工作溫度范圍
- 40 C to + 85 C
自諧振頻率
38 MHz
Q 最小值
40
尺寸
4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H
屏蔽
Shielded
端接類型
SMD/SMT
封裝 / 箱體
6.6 mm x 4.45 mm

PT100R-1000HM 技術(shù)參數(shù)

PT100MF1MP1 功能描述:PHOTOTRANS DARL OUT CLEAR SMD 制造商:sharp microelectronics 系列:* 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期電壓 - 集射極擊穿（最大值）:35V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:910nm 視角:30° 功率 - 最大值:75mW 安裝類型:表面貼裝朝向:通用工作溫度:-30°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:2-SMD，無引線標準包裝:1 PT100MF0MP1 功能描述:PHOTO TRANS BLACK LENS 910NM SMD 制造商:sharp microelectronics 系列:* 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期電壓 - 集射極擊穿（最大值）:35V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:910nm 視角:30° 功率 - 最大值:75mW 安裝類型:表面貼裝朝向:通用工作溫度:-30°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:2-SMD，無引線標準包裝:1 PT100MF0MP 功能描述:PHOTO TRANS BLACK LENS 910NM SMD 制造商:sharp microelectronics 系列:* 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期電壓 - 集射極擊穿（最大值）:35V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:910nm 視角:30° 功率 - 最大值:75mW 安裝類型:表面貼裝朝向:通用工作溫度:-30°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:2-SMD，無引線標準包裝:1 PT100MC0MP1 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CLEAR LENS SMD 制造商:sharp microelectronics 系列:* 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期電壓 - 集射極擊穿（最大值）:35V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:900nm 視角:30° 功率 - 最大值:75mW 安裝類型:表面貼裝朝向:通用工作溫度:-30°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:2-SMD，無引線標準包裝:1 PT100MC0MP 功能描述:PHOTO TRANS CLEAR LENS 900NM SMD 制造商:sharp microelectronics 系列:* 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期電壓 - 集射極擊穿（最大值）:35V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:900nm 視角:30° 功率 - 最大值:75mW 安裝類型:表面貼裝朝向:通用工作溫度:-30°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:2-SMD，無引線標準包裝:1 PT102-00 PT102-02 PT102J2 PT103-00 PT103G2 PT103J2 PT104-00 PT104J2 PT104R2 PT10-530 PT10-530HM PT10-530-VM PT10-680 PT10-680HM PT10-680-VM PT107-00 PT108-00-NC PT10-820