PSMN1R0-40ULDX

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批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

PSMN1R0-40ULDX
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
NEXPERIA/安世
SOT1023
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

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PSMN1R0-40ULDX 技術(shù)參數(shù)

PSMN1R0-30YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 2mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:121.35nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:8598pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:238W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.02 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN1R0-30YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:103.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:6645pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:272W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.15 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN1R0-25YLDX 功能描述:PSMN1R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:71.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:5308pF @ 12V FET 功能:肖特基二極管（體）功率耗散（最大值）:160W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:0.89 毫歐 @ 25A， 10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN130-200D,118 功能描述:MOSFET N-CH 200V 20A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:65nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2470pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN102-200Y,115 功能描述:MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:21.5A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1568pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:113W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:102 毫歐 @ 12A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN1R2-30YLDX PSMN1R3-30YL,115 PSMN1R4-30YLDX PSMN1R4-40YLDX PSMN1R5-25YL,115 PSMN1R5-30BLEJ PSMN1R5-30YL,115 PSMN1R5-30YLC,115 PSMN1R5-40ES,127 PSMN1R5-40PS,127 PSMN1R6-30BL,118 PSMN1R6-30PL,127 PSMN1R6-40YLC,115 PSMN1R6-40YLC:115 PSMN1R6-60CLJ PSMN1R7-25YLC,115 PSMN1R7-25YLDX PSMN1R7-30YL,115