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PMR18EZPFU9L00

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • PMR18EZPFU9L00
    PMR18EZPFU9L00

    PMR18EZPFU9L00

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Rohm Semiconductor

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • PMR18EZPFU9L00
    PMR18EZPFU9L00

    PMR18EZPFU9L00

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強(qiáng)廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 100

  • ROHM

  • -
  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
PMR18EZPFU9L00 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • RES .009 OHM 3/4W 1% 1206 SMD
  • RoHS
  • 類別
  • 電阻器 >> 芯片電阻 - 表面安裝
  • 系列
  • PMR18
  • 產(chǎn)品目錄繪圖
  • ERA-(2,6)A Series
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
  • 系列
  • ERA-6A
  • 電阻(歐姆)
  • 1M
  • 功率(瓦特)
  • 0.125W,1/8W
  • 復(fù)合體
  • 薄膜
  • 特點(diǎn)
  • -
  • 溫度系數(shù)
  • ±25ppm/°C
  • 容差
  • ±0.1%
  • 封裝/外殼
  • 0805(2012 公制)
  • 尺寸/尺寸
  • 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度
  • 0.024"(0.60mm)
  • 端子數(shù)
  • 2
  • 包裝
  • Digi-Reel®
  • 產(chǎn)品目錄頁面
  • 2242 (CN2011-ZH PDF)
  • 其它名稱
  • P1MDADKR
PMR18EZPFU9L00 技術(shù)參數(shù)
  • PMR10RI 功能描述:SENS PHOTO 10M SPDT 制造商:carlo gavazzi inc. 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 感應(yīng)距離:393.701"(10m) 感應(yīng)方法:反射 輸出類型:- 響應(yīng)時間:20ms,30ms 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊,導(dǎo)線引線 工作溫度:-25°C ~ 55°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB95ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.8A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):14.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):504pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.6W(Ta),15.6W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):105 毫歐 @ 2.8A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD(2x2) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB55ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):12nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):435pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.65W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):56 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD(2x2) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB48EP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.7A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):26nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):860pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.7W(Ta),12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 4.7A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD(2x2) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB47XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):21nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1365pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.7W(Ta),12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):58 毫歐 @ 4A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD(2x2) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMR18EZPJV2L0 PMR18EZPJV3L0 PMR18EZPJV4L0 PMR205AC6470M047R30 PMR205AC6470M220R30 PMR209MB5470M047R30 PMR209MB5470M100R30 PMR209MC6100M022R30 PMR209MC6100M047R30 PMR209MC6100M100R30 PMR209MC6100M220R30 PMR209MC6100M470R30 PMR209MC6220M022R30 PMR209MC6220M047R30 PMR209MC6220M100R30 PMR209MC6220M220R30 PMR209ME6470M047R30 PMR209ME6470M100R30
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