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PMN70EPEX

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  • PMN70EPEX
    PMN70EPEX

    PMN70EPEX

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 1899

  • NEXPERIA

  • NA

  • 近兩年

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  • 查價格、訂購可到京北通宇商城www.jb...

  • PMN70EPEX
    PMN70EPEX

    PMN70EPEX

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人:李瑞兵

    電話:18897698645

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Nexperia

  • 22+

  • -
  • 原裝正品

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PMN70EPEX 技術參數(shù)
  • PMN55LN,135 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.1A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):65 毫歐 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 PMN52XPX 功能描述:MOSFET P-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.7A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):12nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):763pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):530mW(Ta), 4.46W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):62 毫歐 @ 3.7A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 標準包裝:1 PMN50UPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.6A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):15.7nC @ 10V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):24pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):510mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):66 毫歐 @ 3.6A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 標準包裝:1 PMN49EN,135 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):47 毫歐 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):350pF @ 30V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 PMN48XP,125 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.1A SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.1A(Ta) 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):13nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1000pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):530mW(Ta),6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 2.4A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 標準包裝:1 PMNF1-4F-3K PMNF1-4F-C PMNF1-4R-C PMNF1-4R-X PMNF1-5F-C PMNF1-5R-C PMNF1-5R-X PMNF2-3F-3K PMNF2-3F-C PMNF2-3R-3K PMNF2-3R-C PMNF2-3R-X PMNF2-4F-3K PMNF2-4F-C PMNF2-4R-X PMNF2-5F-C PMNF2-5R-3K PMNF2-5R-C
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