PHNTRAYNOH

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您是不是要找： PHO5_14//PSSG//13B12D5//S6R//**DD** PH-OB PHOTONH PHOTONKIT PHOTONNOH PHP.0F.303.XLM PHP.0F.305.NLM PHP.0F.305.XLM PHP.1F.308.XLM

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功能描述
PHOTON WITHOUT HEADERS IN TRAYS
制造商
particle industries, inc.
系列
WICED
零件狀態(tài)
在售
類型
收發(fā)器；802.11 b/g/n（Wi-Fi，WiFi，WLAN）
頻率
2.4GHz
配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品
BCM43362，STM32F205
所含物品
板
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

PHNTRAYNOH 技術(shù)參數(shù)

PHNTRAYH 功能描述:PHOTON WITH HEADERS IN TRAYS 制造商:particle industries, inc. 系列:WICED 零件狀態(tài):在售類型:收發(fā)器；802.11 b/g/n（Wi-Fi，WiFi，WLAN）頻率:2.4GHz 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:BCM43362，STM32F205 所含物品:板標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHN210T,118 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 2.2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:250pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHL5830AL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8HVSON 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHL3212 功能描述:LABEL 3"X1.5" BLUE/RED/WHITE 制造商:panduit corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售類型:標(biāo)簽標(biāo)簽類型:- 標(biāo)簽尺寸:3.00" 長(zhǎng) x 1.50" 寬（76.2mm x 38.1mm）材料:乙烯基顏色:藍(lán)色，紅色，白色配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHK04P02T,518 功能描述:MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:16V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.66A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:600mV @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:528pF @ 12.8V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:5W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 1A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHP.2F.308.XLM PHP.2M.319.XLMT PHP00603E1000BBT1 PHP00603E1000BST1 PHP00603E1001BBT1 PHP00603E1001BST1 PHP00603E1002BBT1 PHP00603E1002BST1 PHP00603E1010BBT1 PHP00603E1010BST1 PHP00603E1011BBT1 PHP00603E1011BST1 PHP00603E1012BBT1 PHP00603E1012BST1 PHP00603E1020BBT1 PHP00603E1020BST1 PHP00603E1021BBT1 PHP00603E1021BST1