您好,歡迎來(lái)到買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)
您現(xiàn)在的位置:買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > P字母型號(hào)搜索 > P字母第1155頁(yè) >

PHD21N06LT,118

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • PHD21N06LT,118
    PHD21N06LT,118

    PHD21N06LT,118

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話(huà):010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • NXP

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 10+

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • PHD21N06LT,118
    PHD21N06LT,118

    PHD21N06LT,118

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話(huà):010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • NXP

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 10+

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • PHD21N06LT,118
    PHD21N06LT,118

    PHD21N06LT,118

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話(huà):010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • NXP

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 10+

  • -
  • PHD21N06LT,118
    PHD21N06LT,118

    PHD21N06LT,118

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:張先生/雷小姐

    電話(huà):0755-83795896

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 25200

  • NEXPERIA/安世

  • NA

  • 21+原廠授權(quán)

  • -
  • ★原廠授權(quán)★價(jià)超代理★

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共11條 
  • 1
PHD21N06LT,118 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT TRENCH-55
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
PHD21N06LT,118 技術(shù)參數(shù)
  • PHD13005,127 功能描述:TRANS NPN 400V 4A TO220AB 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 1A,4A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 2A,5V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 PHD13003C,412 功能描述:TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 500mA,1.5A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):5 @ 1A,2V 功率 - 最大值:2.1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 PHC2300,118 功能描述:MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源電壓(Vdss):300V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):340mA,235mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 170mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):6.24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):102pF @ 50V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHC21025,118 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.5A,2.3A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 2.2A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):250pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHB66NQ03LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):66A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):12nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):860pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):93W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10.5 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHD38999/24FB4PN PHD38999/26FB4SN PHD38999/26WB4SN PHD38999/26WC8SN PHD38999/26WF30SN PHD3899920FF30PN PHD3899920FH48PN PHD3899924WC8PN PHD3899926FB4PN PHD3899926WC8PA PHD3899926WC8PN PHD38N02LT,118 PHD45N03LTA,118 PHD45NQ15T,118 PHD55N03LTA,118 PHD63NQ03LT,118 PHD66NQ03LT,118 PHD71NQ03LT,118
配單專(zhuān)家
PHD21N06LT,118相關(guān)熱門(mén)型號(hào)

在采購(gòu)PHD21N06LT,118進(jìn)貨過(guò)程中,您使用搜索有什么問(wèn)題和建議?點(diǎn)此反饋

友情提醒:為規(guī)避購(gòu)買(mǎi)PHD21N06LT,118產(chǎn)品風(fēng)險(xiǎn),建議您在購(gòu)買(mǎi)PHD21N06LT,118相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責(zé)聲明:以上所展示的PHD21N06LT,118信息由會(huì)員自行提供,PHD21N06LT,118內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) (m.hkdtupc.cn) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏互動(dòng)信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號(hào) | 粵ICP備14064281號(hào)