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PHB174NQ04LT,118

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
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  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET TRENCHMOS (TM) FET
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
PHB174NQ04LT,118 技術(shù)參數(shù)
  • PHB152NQ03LTA,118 功能描述:MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:36nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3140pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHB146NQ06LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.4 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:60nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5675pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHB129NQ04LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:44.2nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3965pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHB110NQ08T,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:113.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4860pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:230W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHB110NQ06LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:45nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3960pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHB23NQ10LT,118 PHB27NQ10T,118 PHB29N08T,118 PHB32N06LT,118 PHB33NQ20T,118 PHB38N02LT,118 PHB45NQ10T,118 PHB45NQ15T,118 PHB47NQ10T,118 PHB55N03LTA,118 PHB-5R0H155-R PHB-5R0H255-R PHB-5R0H305-R PHB-5R0H505-R PHB-5R0V155-R PHB-5R0V255-R PHB-5R0V305-R PHB-5R0V505-R
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