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PEMD4,115

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  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
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  • PEMD4,115
    PEMD4,115

    PEMD4,115

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話(huà):0755-292759351581559886118576729816

    地址:廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強(qiáng)北賽格科技園6C18室

  • 82490

  • NXP

  • SOT-563

  • 新年份

  • -
  • 一級(jí)代理全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)!

  • PEMD4,115
    PEMD4,115

    PEMD4,115

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯(lián)系人:丁皓鵬

    電話(huà):1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029號(hào)南光捷佳大廈2331

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • PHA

  • SOT666

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!

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  • 1
PEMD4,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7
  • RoHS
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 配置
  • 晶體管極性
  • NPN/PNP
  • 典型輸入電阻器
  • 典型電阻器比率
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 200 mA
  • 最大工作頻率
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 50 V
  • 集電極連續(xù)電流
  • 150 mA
  • 峰值直流集電極電流
  • 功率耗散
  • 200 mW
  • 最大工作溫度
  • 封裝
  • Reel
PEMD4,115 技術(shù)參數(shù)
  • PEMD3,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:1 個(gè) NPN,1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):10 千歐 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):10 千歐 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666 基本零件編號(hào):P*MD3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PEMD2,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:1 個(gè) NPN,1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):22 千歐 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):22 千歐 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666 基本零件編號(hào):MD2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PEMD16,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:1 個(gè) NPN,1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):22 千歐 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):47 千歐 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666 基本零件編號(hào):MD16 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PEMD12,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:1 個(gè) NPN,1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):47 千歐 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):47 千歐 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PEMB9,115 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:2 個(gè) PNP 預(yù)偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):10 千歐 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):47 千歐 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666 基本零件編號(hào):MB9 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PEMH13,115 PEMH13,315 PEMH14,115 PEMH15,115 PEMH16,115 PEMH17,115 PEMH18,115 PEMH19,115 PEMH2,115 PEMH2,315 PEMH20,115 PEMH24,115 PEMH30,115 PEMH30,315 PEMH4,115 PEMH7,115 PEMH9,115 PEMH9,315
配單專(zhuān)家

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